Than hoạt tính trong bộ lọc có được xử lý đặc biệt để tăng cường đặc tính hấp phụ của nó không?- Công ty TNHH sản xuất bộ lọc Hà Bắc Zhengcan

Than hoạt tính trong bộ lọc có được xử lý đặc biệt để tăng cường đặc tính hấp phụ của nó không?

Các bộ lọc cabin than hoạt tính trong nhiều bộ lọc cabin than hoạt tính đã được xử lý đặc biệt để tăng cường đặc tính hấp phụ của nó. Những phương pháp điều trị đặc biệt này bao gồm:

Xử lý kích hoạt: Than hoạt tính được kích hoạt, thường thông qua phương pháp hóa học hoặc hơi nước ở nhiệt độ cao, để tạo ra một số lượng lớn cấu trúc vi mô trên bề mặt, làm tăng diện tích bề mặt riêng và thể tích lỗ rỗng, từ đó cải thiện hiệu suất hấp phụ. Phương pháp xử lý này có thể nâng cao tốc độ hấp phụ và khả năng hấp phụ của than hoạt tính.

Biến đổi hóa học: Than hoạt tính trải qua quá trình biến đổi hóa học, chẳng hạn như xử lý axit-bazơ, xử lý oxy hóa, v.v., có thể thay đổi tính chất hóa học bề mặt của nó, tăng cường tương tác với các chất ô nhiễm và cải thiện hiệu quả hấp phụ và độ chọn lọc.

Bổ sung tải: Thêm các chất hấp phụ hoặc chất xúc tác khác, chẳng hạn như alumina, silica gel, v.v., vào bề mặt than hoạt tính để tạo thành chất hấp phụ tổng hợp nhằm cải thiện hiệu quả hấp phụ và độ chọn lọc, đồng thời tăng độ ổn định và tái sinh của than hoạt tính.

Làm đầy lỗ xốp: Làm đầy hoặc sửa đổi các lỗ nhỏ của than hoạt tính, chẳng hạn như làm đầy oxit kim loại, ống nano carbon, v.v., để điều chỉnh cấu trúc lỗ chân lông và phân bố kích thước lỗ chân lông của than hoạt tính và cải thiện hiệu quả hấp phụ và hiệu suất chống ô nhiễm.

Ứng dụng công nghệ nano: Sử dụng công nghệ nano để chế tạo các vật liệu nanocomposite than hoạt tính như hạt nano, sợi nano, v.v. có thể nâng cao hoạt tính bề mặt và hiệu suất hấp phụ của than hoạt tính.

Những phương pháp xử lý đặc biệt này có thể cải thiện hiệu suất hấp phụ của than hoạt tính, giúp nó hiệu quả hơn trong việc loại bỏ các chất ô nhiễm trong không khí, bao gồm khí độc hại, mùi hôi, hợp chất hữu cơ dễ bay hơi, v.v., trong bộ lọc cabin than hoạt tính.